不反應期(refractory period)

1 Absolute refractory period(絕對不反應期)
  位於去極化和再極化期之間
  產生第二個動作電位的閾刺激強度為無限大，代表要在此時產生第二個動作電位是難上加難
  興奮性=0
2. Relative refractory period(相對不反應期)
  位於過極化期和回復成靜止膜電位之間
  細胞外一部分的鈉離子進入細胞內，所以細胞外的鈉離子濃度下降，根據之前的實驗結果，產生的第二個動作電位高度變矮
  在此期，要產生第二個動作電位，刺激強度要比靜止膜電位期產生動作電位的刺激強度更大，且越接近再極化期，強度要越大
  興奮性比靜止膜電位期低，越接近再極化期興奮性越低

資料來源：sutdyblue

	E(興奮性)	T(閾值)
RMP	最大	最小
ARP	最小	最大
RRP	其次	其次

3. Absolute refractory period(絕對不反應期)
 電壓型鈉離子通道開啟，鈉離子通透性增加
 鈉離子通道的不活化門快速關閉，呈現不活化狀態，此時電壓型鈉離子通道不受外面刺激強度影響，不活化的鈉離子通道對再強的刺激也無動於衷
4. Relative refractory period(相對不反應期)
 主要和鉀離子的通透性有關
 鉀離子通透性越高，細胞的興奮性越低，也就是說要產生第二個動作電位的閾值越高，強度也要更大
參見：動作電位(action potential)

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